Bilim insanları transistörleri küçültmenin bir yolunu buldu!

Transistörlerin küçültülmesi konusundaki büyük bir mahzur, bilim insanları tarafından aşılmış üzere görünüyor. Artık 1 nanometre boyutundan daha küçük transistör yapılar oluşturmak mümkün. Pekala bunu nasıl başardılar? İşte detaylar…

Bilim insanları transistör boyutlarını 1 nanometre altına düşürmenin bir yolunu buldu!

Bilim insanları, yeni bir prosedürle 1 nanometre boyutundan daha küçük yapıların üretilebileceğini duyurdu. Bu yenilik, gelecekteki teknoloji ihtilali için büyük bir adım. Araştırma, IBS’deki Van der Waals Kuantum Katı Merkezi’nden Jo Moon-Ho liderliğindeki bir grup tarafından yürütüldü. Bu grup, denetimli katman büyümesi (epitaktik büyüme) ismi verilen bir teknikle, Molybdändisülfid (MoS2) kullanarak transistör için inanılmaz derecede ince metal sınırlar oluşturmayı başardı.

MoS2’nin eşsiz özellikleri sayesinde, iki kristal formasyonu ortasındaki hudutta transistör için yalnızca 0,4 nanometre genişliğinde metal çizgiler oluşturulabiliyor. Bu sınırlar, 2D yarı iletkenler için kapı elektrotları olarak kullanılabiliyor. Yani, gelecekteki elektronik aygıtlarımızın performansını artıracak üstün küçük transistör elde edebiliriz.

Mevcut kestirimler, 2037 yılına kadar 0,5 nanometre büyüklüğünde yarı iletken düğümler ve 12 nanometre transistör kapı uzunlukları öngörüyor. Lakin bu yeni sistemle, kapı uzunlukları 3,9 nanometreye kadar düşürülebilir. Bu, teknoloji dünyasında çok daha küçük aygıtların hayatımıza gireceği manasına geliyor.

Samsung, 2026 yılına kadar birinci 1 nanometre çiplerini üretmeyi planlıyor. Birebir biçimde, TSMC ve Intel de misal amaçlar koymuş durumda. Bu gelişmeler, yarı iletken teknolojisinin geleceği için epey umut verici. Fujitsu ise 150 çekirdekli bir işlemciyi 2 nanometre dizaynıyla piyasaya sürmeyi planlıyor.

Bu yeni teknikle ilgili siz ne düşünüyorsunuz? Yorumlarınızı aşağıdaki kısımda paylaşabilirsiniz.